# Ang Huling Labanan sa Likod ng BC-TOPCon: Panatilihin > Paano pinapalampas ng next-gen back-contact TOPCon cells ang 27% sa pamamagitan ng pag-freeze sa ilalim na SiOx, pag-zoning sa gitnang layer sa pagitan ng AlOx/SiOx at purong SiOx ![Ang Huling Labanan sa Likod ng BC-TOPCon: Panatilihin](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20260804/2026080419779051.webp) - ** Jerry - ** 2026-08-04 - ** 246 (Mga Pagtingin) - ** [Blog](./Blog.html) Ang responsibilidad sa editoryal para sa artikulong ito ay nasa **Wuhan Ooi Photoelectric Technology Co., Ltd.** Isinulat at sinuri ng pangkat editoryal ng Ooitech. Tingnan ang aming [patakaran sa editoryal](/editorial-policy.html) para sa kung paano kami nagsusulat, saan ginagamit ang mga AI tool, at kung paano humiling ng pagwawasto. ## Ang Huling Labanan sa Likod ng BC-TOPCon: Panatilihin **Mabilis na sagot:** Ang rear side ay ang huling larangan ng labanan sa pagitan ng back-contact at TOPCon architectures, at ang pagpili ay bumababa sa kung gaano karaming contact area ang isusuko para sa passivation. Ang mga strukturang tinalakay ay pinagsasama ang isang front n-finger design na may full-contact rear at isang double-layer stack, na umaabot sa iniulat na 26.34% efficiency, laban sa isang HIBC structure sa 28% class. Ang mga dimensyon ng rear stack ay maliit: mga layer na humigit-kumulang 0.3 nm, 1.5 nm at 4 nm, na may rear process step na malapit sa 1050 °C. Ang bawat isa sa mga layer na iyon ay nagpapalit ng contact resistance laban sa recombination, at ang 13% figure sa analysis ay kumakatawan sa isang bahagi ng loss na iniuugnay sa rear. Para sa isang manufacturer, ang praktikal na tanong ay kung aling rear architecture ang maaaring panatilihin sa produksyon sa buong shifts, hindi kung alin ang umaabot sa pinakamataas na figure sa isang papel. PV Module Manufacturing · ni Jerry, Ooitech ## Pagpapakilala ng Produkto "Old Zhang, yang 26.34% front-n-finger plus full-contact back-p double-layer paper — ang susunod na hakbang ay gawing finger-shaped din ang back-p, at iyon ang tunay na BC. Pero sa ilalim ng p-finger, yang gitnang SiOx layer: mananatili ba tayo sa purong SiOx mula sa 26.66, o papalitan ng AlOx/SiOx para hiramin ang field effect?" Ang tanong na iyon ay lumitaw kaninang umaga, pagkatapos kong i-drop ang 26.34% paper sa production-line group chat, at ang BC project guys ay nagsimulang habulin ito. Sa tunay na BC-[TOPCon](https://www.ooitech.com/what-is-topcon-solar-cell-a-complete-guide-to-tunnel-oxide-passivated-contact-technology.html), ang ilalim na SiOx — ang isa na nagpapalaki ng passivating pinholes — ay hindi maaaring galawin. Pero ang "gitnang SiOx" layer, na ang orihinal na trabaho ay harangan ang Ag at manipisin ang stop layer, ay maaaring laruin sa pamamagitan ng zone kapag ang p-fingers ay naging localized. Ang mga non-contact region ay pumupunta sa AlOx/SiOx para hiramin ang field effect. Ang mga contact region, sa ilalim mismo ng paste, ay nagpapanatili ng purong SiOx para pigilan ang B diffusion na sumabog. Ang isang swap na iyon ay ang pinakamalaking bahagi na maaari mong kainin sa backside sa loob ng 1.3% abs jump mula 26.34% hanggang 27.6%+. ## Technical Parameters ### Una, ang dalawang 27%+ BC benchmarks sa mesa Zheng, Z. et al. Maximizing carrier extraction in hybrid back-contact silicon solar cells. Nature (2026). [https://doi.org/10.1038/s41586-026-](https://doi.org/10.1038/s41586-026-) (Beijing University of Technology + Golden Stone Energy, certified 27.62%) LONGi HIBC, 28.13%, ISFH CalTeC Apr 2026 (LONGi HIBC 2.0, HPBC route, bagong set na record). Itinayo sa HIBC 1.0 (Wang G. et al., Nature 647, 369–374, 2025, DOI:10.1038/s41586-025-09681-w, 27.81%) na initerate gamit ang iPET + LIC; paper pending, certification sa opisyal na site ng LONGi. | Metric | JinKo 26.66% (bifacial n-TOPCon) | BJUT + Golden Stone 27.62% (HBC) | LONGi HIBC 28.13% | | --- | --- | --- | --- | | Structure | Front boron + back n-TOPCon full-contact double-layer | Front a-SiOx + back p/n interdigitated (HBC) | Front HJT-P + back TOPCon-N finger (HIBC) | | Voc (mV) | 744.6 | 740 | — | | Jsc (mA/cm²) | ~41.2 est. | 42.54 | — | | FF (%) | 85.57 | 87.73 | — | | Key move | Double-layer SiOx/poly + Ag blocking | Gradient B-doped a-Si + O-doped a-SiOx front passivation | Bipolar hybrid passivation (P-side a-Si:H + N-side poly) | Panoorin ang FF na 87.73%. Ang 26.66% ay umaabot lamang sa 85.57%. Ang 2% abs FF gap na iyon ay hindi kayang bawiin ng "backside double-layer" lamang. Nagmumula ito sa backside finger geometry optimization, front-surface grid-free shading, at pagtulak sa contact recombination pababa sa 400-500 fA/cm² level (higit pa sa ibaba). ## Mga Teknikal na Kalamangan ### Paano nagbabago ang double-layer SiOx/poly kapag ang p-fingers ay naging localized Pareho ang 26.66% at 26.34% "double-layers" ay full-contact backsides — ang poly ay sumasakop sa buong back surface, ang gitnang SiOx ay tumatakbo bilang isang tuloy-tuloy na sheet. Kapag ang tunay na BC ay ginawang finger-shaped ang parehong back-n at back-p, ang stack ay mula sa "blanket" patungo sa "interdigitated," at ang dalawang logics na iyon ay kailangang muling hatiin. **Bottom SiOx (~1.x nm, ang tunnel site) — hindi kailanman gumagalaw.** - Ito ang home turf ng Das Solar pinhole-passivation paper. Nagpapalaki ito ng 10¹² cm⁻² class oxygen-bearing pinholes, at ang pagtulak sa J₀ pababa sa 2-4 fA/cm² ay nakasandal dito. - Sa BC, ang ilalim na SiOx sa ilalim ng p-finger ay humaharap sa B-doped poly, hindi P. Ang B ay nakaupo na may mas mataas na Dit sa Si/SiO₂ interface, at ang B segregation ay sumisira sa SiOx stoichiometry. Kaya ang p-finger-side bottom SiOx ay talagang gustong maging bahagyang mas makapal kaysa sa n-finger side (+0.2-0.3 nm), na may 1050°C pre-anneal para i-activate ang B at hilahin ang crystallinity sa 98% (ang baseline na ibinigay ng 26.34% paper). **Middle SiOx (orihinal na 1.5 nm, ang Ag-blocking site) — sa BC, ang materyal ay maaaring i-zone.** Ito ang core variable. Ang gitna sa 26.66/26.34 ay purong thermal SiO₂, single-function (harangan ang Ag + manipisin ang stop layer). Sa ilalim ng interdigitated BC structure, ang p-finger region ay tumatama sa dalawang bagong pain points na hindi kailanman hinarap ng full-contact. **Pain point A**: Ang p-TOPCon side ay natural na mahina sa field effect. Ang fixed charge mula sa B sa Si/SiO₂ interface ay positibo (kabaligtaran ng n+ side). Ang purong SiOx ay walang p-side field-effect passivation, kaya kailangan mong hiramin ang negative charge mula sa isang outer AlOx stack. **Pain point B**: Ang metal contact recombination J₀,metal sa ilalim ng p-finger ay ang BC efficiency ceiling. Ang silver-free BC ngayon ay nakaupo sa Al-contact J₀,metal ~2400-2500 fA/cm², na tumutugma sa ~25.9% efficiency. Para maabot ang 26.8% Ag-system level, kailangan mong pindutin ang J₀,metal sa ibaba ng 400-500 fA/cm². Ang purong-SiOx middle ay hindi kayang hawakan ang A. Ang pagpapalit ng buong bagay sa AlOx/SiOx ay tumatapak sa isa pang landmine. ### Ang AlOx/SiOx bilang tunnel layer ay isang bitag, pero bilang middle layer ito ay maaaring candy Dalawang scenario ang pinaghalo sa literatura at dapat paghiwalayin. **Scenario 1: Ang AlOx ay direktang pumapalit sa bottom SiOx bilang tunnel layer.** Ang gawa ni Kaur (Solar Energy Materials 2021) ay ang cautionary tale dito: - Ang AlOx at AlOx/SiOx double-layers bilang tunnel layers ay nagpapassivate nang mas masama kaysa sa purong SiOx. - Mekanismo: Ang AlOx/SiOx ay kapansin-pansing nagpapahusay sa B diffusion at sumusugpo sa P diffusion. Ang B ay nagbubunton sa isang "reservoir" sa AlOx region pagkatapos ay tumutulak sa c-Si — isang double blast ng Auger recombination kasama ang B-O pair defects. - Sa ibabaw nito, ang Al ay nagdi-diffuse mula sa AlOx papunta sa c-Si na bumubuo ng deep levels, kaya ang SRH recombination ay umaakyat din. Kaya ang bottom SiOx ay talagang hindi maaaring palitan ng AlOx — iyon ang ugat na dahilan kung bakit hindi gumagalaw ang 26.66/26.34 baselines, at iyon mismo ang dahilan kung bakit ang LONGi HIBC ay tumatakbo ng "P-side na may a-Si:H (HJT logic), N-side na may poly (TOPCon logic)." Ang P-side ay lumilihis lang sa SiOx/poly setup at dumadaan sa HJT amorphous + hydrogen route para iwasan ang B-SiOx trap. **Scenario 2: Ang AlOx/SiOx ay nasa "gitna" na posisyon (walang tunneling, field effect + Ag blocking lang).** Ito ang BC-only play: - Ang Bottom SiOx (1.x nm) ay nananatiling purong thermal SiO₂, pinapalaki ang passivating pinholes. - Sa itaas ng inner poly (p+, mataas na crystallinity), sa ibaba ng outer poly (p++, heavily doped para sa metallization) naroon ang purong SiOx middle (1-1.5 nm). - Sa non-contact regions (sa pagitan ng mga finger, at sa loob ng mga finger na malayo sa paste), ang middle ay nagpapalit sa ultra-thin AlOx (2-4 nm) / SiOx (1 nm) stack. Ang AlOx negative fixed charge ~10¹²-10¹³ cm⁻² ay nagbibigay sa p-finger ng field effect at pinapababa ang p-TOPCon-side Dit. - Sa contact regions (sa ilalim ng paste opening), ang middle ay nananatiling purong SiOx — para pigilan ang AlOx na hayaang sumabog ang B diffusion habang nagfa-fire (ang Ag paste ay nagfa-fire sa 700-800°C, at ang AlOx ay nagiging unstable sa itaas ng 550°C habang nagdi-dissociate ang Si-H). Wala pang public BC cross-section data sa "zoned middle" na ito, pero tumatayo ang logic chain. Ang a-SiOx:H/AlOx:H sa 6nm/12nm sa n-type front-surface passivation ay tumatakbo na ng τeff 5.1 ms na walang anneal, na nagsasabing ang AlOx na hindi direktang dumadampi sa c-Si (may a-SiOx o SiOx sa pagitan) ay nagpapahintulot sa field effect at chemical passivation na magtulungan. Ang BC p-finger non-contact region ay eksaktong ganoong kaso: ang bottom SiOx ay naghihiwalay sa c-Si, ang middle AlOx/SiOx ay naghihiwalay sa inner poly, ang AlOx ay hindi kailanman dumadampi sa c-Si, at ang B diffusion path ay naharang ng dalawang barrier, bottom SiOx at inner poly — mas ligtas kaysa sa AlOx bilang direktang tunnel layer. ## Application ng Produkto ### Tatlong supporting moves para sa p-finger localization (ang 26.34 to 27.6 increment) | Move | 26.34% baseline | BC p-finger localization increment | Bottleneck addressed | | --- | --- | --- | --- | | Bottom SiOx | Full-contact 1.8 nm (p-TOPCon side) | 1.8→2.0 nm sa ilalim ng p-finger (anti-B pinning), 1.3-1.5 nm sa ilalim ng n-finger | Sinira ng B segregation ang SiOx | | Middle SiOx | Purong SiOx 1 nm (in-situ) | Zoned: non-contact AlOx(3nm)/SiOx(1nm), contact purong SiOx 1 nm | Mahinang p-side field effect | | Outer poly | 90 nm p++, alkali-metal paste | Laser LCO opening sa ilalim ng p-finger, nagbubukas lang ng AlOx/SiNx nang hindi sinasaktan ang poly/SiOx (iVoc verified stable) | J₀,metal 2400→400 | | Anneal | 1050°C pre-anneal, 98% crystallinity | Pareho, pero ang p/n finger co-anneal window ay kailangang mag-compromise — P-side 880-920, B-side 1050, split sa ~950-980°C long anneal | Thermal budget conflict | | Metallization | Alkali-metal Ag paste (4wt% Na₂O/K₂O) | Silver-free Al contact o Ag-Al mixed paste, p-finger 700°C firing J₀,metal ~2400, n-finger ~2500 same condition | Silver-free + press J₀,metal to 400 | Mahalaga ang silver-free BC data na iyon: pagkatapos ng LCO (laser contact opening) halos hindi bumaba ang iVoc at ang Raman ay nagpapakita ng walang amorphous signal, na nagpapatunay na "buksan ang window nang hindi sinisira ang poly/SiOx passivation" ay posible — iyon ang process foundation para sa "keep pure SiOx middle in contact regions + LCO paste window" sa ilalim ng BC p-finger. Pero ang J₀,metal 2400 fA/cm² ay tumutugma lang sa 25.9% efficiency. Ang 0.9% abs gap sa Ag-system 26.8% ay ganap na kinakain ng contact recombination. Ang susunod na jump bottleneck ay hindi ang passivation layer, ito ay metallization. ### Kaya ano ba talaga ang pinaglalabanan ng backside sa huling jump na iyon patungong 27% Ihanay ang lahat ng apat na henerasyon — Das 25.4 → JinKo 26.66 → JinKo 26.34 → Golden Stone 27.62 / LONGi 28.13: - 25.4% generation: ang backside ay nakipaglaban sa "pinhole personality" ng bottom SiOx (passivation vs recombination), LPCVD two-step oxidation na nagpapalaki ng 10¹²-class passivating pinholes. - 26.66% generation: ang backside ay nakipaglaban sa double-layer SiOx/poly + middle SiOx Ag block + laser thinning, na nagresolba sa metallization degradation at parasitic absorption. - 26.34% generation: back p-TOPCon full-contact double-layer + alkali-metal paste + 1050°C pre-anneal, kinakagat ang p-side B segregation at metallization. - 27.6%+ generation (BC): back p/n interdigitated, bottom SiOx na naka-tune ayon sa polarity (p-side 2.0 / n-side 1.3) + zoned middle (non-contact AlOx/SiOx para sa field effect, contact purong SiOx) + LCO opening nang hindi sinasaktan ang passivation + silver-free/low-Ag metallization na nagpi-press sa J₀,metal to 400. Isang counter-intuitive na tawag: sa itaas ng 27%, sa backside "field effect + double-layer combo," ang AlOx ay hindi maaaring pumasok sa bottom (sumasabog ang tunnel site sa B diffusion), sa middle non-contact region lang. Iyon ang pinakamalaking pagkakaiba sa PERC era na "AlOx directly on c-Si to borrow negative charge." Ang BC structure ay nagbibigay sa iyo ng espasyo para sa "zoned middle" (ang interdigitated geometry ay may sariling zoning). Ang full-contact TOPCon ay talagang hindi ito malalaro. Iyon din ang nagpapaliwanag kung bakit ang 26.66/26.34 ay hindi kailanman naglagay ng AlOx sa middle — sila ay full-contact, ang middle ay kailangang magsilbing stop layer + Ag block, at ang purong SiOx ay mas ligtas. ### Ano ang maaaring unang subukan ng BC pilot line 1. Ilipat ang p-finger bottom SiOx mula 1.5 patungong 1.8-2.0 nm — magdagdag ng 30-50% LPCVD 620°C O₂ time, unang tingnan ang B segregation ECV profile. 2. Patakbuhin ang "two-choice" middle samples: Group A purong SiOx 1.5 nm (26.66 baseline), Group B non-contact ALD AlOx 3nm / SiOx 1nm plus contact purong SiOx 1.5 nm (ituwid ang LCO window alignment). 3. I-tune ang LCO laser para umakma sa AlOx — ang AlOx ay mas sensitibo sa 355 nm kaysa sa SiOx, kaya ang deep-UV 4.8 eV photon na "open only SiNx/AlOx without hurting poly/SiOx" recipe ay kailangang i-re-calibrate para sa B-side at N-side doses nang hiwalay. 4. Palitan ang metallization sa Ag-Al mixed paste o full Al, i-lock ang firing sa 700°C — ang baseline n/p J₀,metal 2400-2500 ay kailangang i-tune nang sabay ang glass frit + firing atmosphere + contact pattern density para umabot sa 400-500. ### Mga bukas na tanong para sa BC metallization crew Manufacturing feasibility ng "zoned middle" sa ilalim ng p-finger — ang ALD AlOx lamang sa non-contact region ba ay nangangailangan ng mask, o nagde-deposito ka ng full-face at hinahayaan ang LCO na mag-sweep palayo sa contact-region AlOx? Ang una ay nagdadagdag ng mask step (sapat na kumplikado na ang BC), ang huli ay may panganib na ang LCO laser ay mag-sweep sa AlOx/SiOx stack at makasira sa bottom SiOx passivating pinholes (ang pag-sweep lamang ng AlOx/SiNx ang na-verify na hindi nakakasira sa poly/SiOx; ang AlOx/SiOx stack ay hindi). Gayundin, ang 27.62% ng Golden Stone ay gumamit ng "gradient B-doped a-Si + O-doped a-SiOx front passivation," na may P-side sa HJT logic kaysa sa TOPCon. Maaabot ba ng HIBC (P-side HJT + N-side TOPCon) ang 28% nang mas maaga kaysa sa full-TOPCon BC (parehong p-finger at n-finger poly/SiOx)? Ang 28.13% na linya ng LONGi ay mukhang panalo ang HIBC, ngunit ang pagiging simple ng device ng full-TOPCon BC (poly sa parehong N at P sides, shared anneal) ay maaaring manalo pabalik sa pangmatagalang gastos. Ang dalawang BC sub-routes na ito ay magbabanggaan sa susunod sa "passivation ceiling vs process complexity" trade-off. Apat na papel na magkakasunod (Das 25.4 → JinKo 26.66 → JinKo 26.34 → Golden Stone 27.62 / LONGi 28.13), at ang three-generation backside logic ng TOPCon mula 25%→26%→27%+ ay kumpleto na: passivating pinholes → double-layer Ag block + thinning → BC interdigitation + zoned middle + field-effect combo. ## Pananaw ng Ooitech Ang ideya ng zoned-middle ay matalino, ngunit sa totoo lang ang mas mahirap na laban ay nasa linya, hindi sa drawing board. Ang pagtulak sa J₀,metal mula 2400 pababa patungong 400 ay nangangahulugan na ang iyong LCO laser dosing, paste frit, at firing profile ay kailangang mapanatili ang tolerance sa bawat finger, wafer pagkatapos ng wafer — at iyon ay isang module-line repeatability problem kasing dami ng cell physics problem. Kung ang industriya ay mapunta sa full-TOPCon BC o HIBC muna, ang process window ay lumiliit sa alinmang paraan, kaya ang metrology at thermal control sa backside stack ang nagiging tunay na gatekeepers. Ang mga taong nagtatayo o nag-a-upgrade ng module production lines ay makakakuha ng marami sa mga firing at lamination trade-offs na ito sa Ooitech YouTube channel sa [www.youtube.com/ooitech](http://www.youtube.com/ooitech). ## Karagdagang pagbabasa at datos sa background Pampublikong sangguniang materyal sa paksang ito, na inilathala ng mga organisasyong nagpapanatili ng technology roadmap at market data ng industriya: - [VDMA — International Technology Roadmap for Photovoltaic (ITRPV)](https://www.vdma.org/international-technology-roadmap-photovoltaic) - [Fraunhofer ISE — Ulat sa Photovoltaics](https://www.ise.fraunhofer.de/en/publications/studies/photovoltaics-report.html) - [pv magazine — pandaigdigang balita sa industriya ng PV at teknikal na saklaw](https://www.pv-magazine.com/) --- ##### Mga Tag : ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h700_fitblur_v2_w800_h700_fitblur_v2_1757399770541443.webp) ### Humiling ng Quote Lahat ng upload ay secure at kumpidensyal. ## Naghahatid kami ng expertise na maaasahan mo aming serbisyo Direct-from-Factory Equipment. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/money-2.svg) ### Mga Kalamangan na Cost-Effective Naghahatid kami ng pambihirang halaga, pinalalaki ang mga resulta habang ino-optimize ang badyet para sa mga kliyente. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/staff.svg) ### Ang Aming Experienced Team Ang aming mga bihasang propesyonal ay dalubhasa sa mga makabagong solusyon at mga pasadyang estratehiya. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/certified.svg) ### 15+ Taon ng Karanasan sa Industriya Ang malalim na kadalubhasaan ay nagsisiguro ng maaasahan, may kamalayan sa uso, at napatunayang mga resulta para sa tagumpay. ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477357667605.webp ) ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477724911512.webp) ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ## Ano ang Sinasabi ng Aming Kliyente Sabi tungkol sa amin Pinupuri ng mga testimonya ng kliyente ang aming malalim na pag-unawa sa kanilang mga hamon, na humahantong sa mga makabagong solusyon at matibay na ROI. Ang mga pangmatagalang pakikipagtulungan—ang ilan ay mahigit isang dekada—ay nagpapakita ng kanilang tiwala at kasiyahan. Ang kanilang mga kuwento ng tagumpay ay nagtutulak sa amin na patuloy na malampasan ang mga inaasahan. [Alamin Pa **](#quote-form) ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Salamat sa Ooitech sa pagbibigay ng ganap na awtomatikong kagamitan sa produksyon—napakahusay ng inyong pag-install at serbisyo pagkatapos ng benta. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041720921238.webp) ### Amjad ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Salamat sa Ooitech sa pagbibigay ng lubos na angkop na kagamitan sa eksperimento ng BC solar cell. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1776426122864564.webp) ### KTECH ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Isang lalaking may malaking puso. Maraming salamat sa iyong pagbisita Mr Wu. Maraming salamat sa mga serbisyong ibinigay sa pag-install ng kagamitan at pagsasanay sa aking mga estudyante. Ang pinakamabait na tao at propesyonal sa kanyang larangan ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041716444445.webp) ### Jizzakh Polytechnic Institute ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Maraming salamat muli sa napakalaking tulong para sa pagpapabuti at pag-aayos ng pabrika at pati na rin sa pagtuturo sa mga manggagawa kung paano gamitin ang mga makina ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1757479675272137.webp) ### Mark BIPV Philippines ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) salamat sa propesyonal na suporta ng ooitech at sa on time na after service. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1784509010217979.webp) ### Diarra Mula sa Africa ## Aming Pinakabagong mga Produkto ![CHT9980A PV Safety Tester: 8kV, 0.001kV na Resolusyon](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026032763823477.jpg) - [** Rachael](./cht9980a-cht9981a-pv-safety-comprehensive-tester-solar-panel-hipot-insulation-ground-continuity-tester.html) - [** 84019](./cht9980a-cht9981a-pv-safety-comprehensive-tester-solar-panel-hipot-insulation-ground-continuity-tester.html) ### CHT9980A PV Safety Tester: 8kV, 0.001kV na Resolusyon Ang CHT9980A/CHT9981A PV Safety Comprehensive Tester ay isang high-performance 3-in-1 instrument na pinagsasama ang DC withstand voltage, insulation resistance ![Solar Tempered Glass: 93.5% Transmittance, Low-Iron](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774514074283403.webp) - [** ooitech](./Solar-Glass-Ultra-Clear-Low-Iron-Tempered-Glass-for-Photovoltaic-Modules.html) - [** 47704](./Solar-Glass-Ultra-Clear-Low-Iron-Tempered-Glass-for-Photovoltaic-Modules.html) ### Solar Tempered Glass: 93.5% Transmittance, Low-Iron Solar tempered glass para sa PV modules: ultra-clear low-iron glass na may anti-reflective coating, na umaabot sa 91.5%+ light transmittance sa G1/M6/M10/M12 sizes. ![KS-01C Junction Box Welding Machine: 16s na Siklo](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774492507915923.webp) - [** Rachael](./junction-box-welding-machine-ks-01c-automatic-solar-panel-junction-box-soldering-equipment-ooitech.html) - [** 92541](./junction-box-welding-machine-ks-01c-automatic-solar-panel-junction-box-soldering-equipment-ooitech.html) ### KS-01C Junction Box Welding Machine: 16s na Siklo Ang Ooitech KS-01C Junction Box Welding Machine ay may tampok na automatic hot bar tin welding at high frequency welding na may CCD positioning accuracy na ±0.1mm. ![Makinang Pang-laser na Panggupit ng Solar Cell na Hindi Nakakasira](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774252043927784.webp) - [** ooitech](./GYM-HP8000-Non-Destructive-Solar-Cell-Laser-Cutting-Machine-Advanced-TCS-Technology-for-High-Efficiency-Cell-Production.html) - [** 47397](./GYM-HP8000-Non-Destructive-Solar-Cell-Laser-Cutting-Machine-Advanced-TCS-Technology-for-High-Efficiency-Cell-Production.html) ### Makinang Pang-laser na Panggupit ng Solar Cell na Hindi Nakakasira Propesyonal na non-destructive solar cell laser cutting machine GYM-HP8000 na may TCS technology, na nakakamit ng 7600pcs/h na kapasidad, 0.03% breakage rate ![Solar Panel Manufacturing Machine: Isang Gabay ayon sa Estasyon](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774262936967131.webp) - [** ooitech](./solar-panel-manufacturing-machine.html) - [** 65](./solar-panel-manufacturing-machine.html) ### Solar Panel Manufacturing Machine: Isang Gabay ayon sa Estasyon Gabay ayon sa estasyon para sa bawat solar panel manufacturing machine: pagputol ng cell, tabbing, layup, bussing, lamination, framing, testing. ![Linya ng Produksyon ng Solar Panel: Mga Konfigurasyon mula 5 MW hanggang 1 GW](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026032510951634.webp) - [** ooitech](./solar-panel-production-line.html) - [** 60](./solar-panel-production-line.html) ### Linya ng Produksyon ng Solar Panel: Mga Konfigurasyon mula 5 MW hanggang 1 GW Gabay sa linya ng produksyon ng solar panel: mga istasyon, semi-awtomatiko kumpara sa awtomatiko, mga konfigurasyon mula 5 MW hanggang 1 GW, layout, mga utility, staffing at mga tip sa RFQ.