# Paano Tumutusok ang Silver Paste sa poly-Si sa TOPCon Rear Side > Isang malalim na pagsusuri kung paano tumatagos ang rear silver paste sa poly-Si sa mga TOPCon cell, kung bakit nabibigo ang single-layer poly-Si na pigilan ito ![Paano Tumutusok ang Silver Paste sa poly-Si sa TOPCon Rear Side](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20260902/53eafcaf488a6278ffff7ea894bf8d5d.webp) - ** Jerry - ** 2026-09-02 - ** 211 Views - ** [Blog](./Blog.html) ## Paano Tumutusok ang Silver Paste sa poly-Si sa TOPCon Rear Side **Mabilis na sagot:** Ang silver paste ay tumatagos sa poly-silicon sa likod ng isang TOPCon cell para sa kabaligtaran na dahilan kung bakit ito nasusunog sa front coating. Sa harap, kailangang tumagos ng paste sa anti-reflective layer para maabot ang emitter. Sa likod, kailangan nitong makipag-ugnayan sa isang doped polysilicon layer na mga 100 nm lang ang kapal, na nasa ibabaw ng tunnel oxide na maaaring 1.5 nm. Kung ma-etch ng paste ang polysilicon, maaabot nito ang tunnel oxide at masisira ang passivation na siyang dahilan ng buong istruktura; ang resultang contact ay maayos sa elektrikal at nawawalan ng boltahe ang cell. Ang mga working layer sa produksyon ay nasa paligid ng 40 nm hanggang 60 nm depende sa stack. Ang firing profile at paste chemistry ay kailangang huminto sa etch sa tamang lalim, kaya ang mga rear metallisation recipe ay ginagawa kasabay ng deposition step. PV Module Manufacturing · ni Jerry, Ooitech ## Introduction Noong nakaraang pagkakataon, napag-usapan natin ang front-side silver paste. Ang buong punto doon ay "sunugin ito pataas." [Bakit kayang pilitin ng isang laser process na mapalitan ang buong front-side silver paste?](https://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MzkwOTQwMTI1Ng==&mid=2247488486&idx=1&sn=43796068eea44f16d034c6f89db0c2e8&scene=21#wechat_redirect) Ang rear side ay eksaktong kabaligtaran. **Kailangan pa ring pumasok ang silver. Pero kapag pumasok na ito, kailangan nitong huminto agad.** Dahil sa harap, kung hindi masusunog ang silver, hindi bababa ang contact resistance. Sa likod, kung masyadong malalim ang pagkasunog ng silver, tumatagos ito nang diretso sa pinakamahalagang bahagi ng [TOPCon](https://www.ooitech.com/what-is-topcon-solar-cell-a-complete-guide-to-tunnel-oxide-passivated-contact-technology.html) — ang passivated contact. Kaya ang front-side metallization ay tungkol sa "paano makapasok." Ang rear-side metallization ay tungkol sa "paano huminto kapag nakapasok ka na." Sinisira ng pirasong ito ang rear side nang buo: kung bakit "tumatagos" ang silver sa poly-Si, ano ang nangyayari kapag nangyari ito, at kung paano ang pinakabagong bilayer poly-Si design ay gumagawa ng daan para sa silver na nagsasabing "huminto pagdating." ## Tingnan Muna ang Rear-Side Layout ### Ano talaga ang hitsura ng rear stack Mula sa labas papasok, ang TOPCon rear ay nakasalansan nang halos ganito: SiNx protective layer, (ang ilang maker ay gumagamit ng dual-side ALD at nagdadagdag ng AlOx layer sa likod din), poly-Si, tunnel oxide, at sa ilalim nito ay ang n-type silicon substrate. Ang pinakamalaking pagkakaiba mula sa harap ay ang ilalim na layer — ang tunnel oxide, mga 1–1.5 nm lang ang kapal. Ito ang lifeline ng buong rear-side passivation. Ang buong passivation value ng poly-Si ay nakasalalay sa pananatiling buo ng film na ito. Ang job boundary ng rear silver paste ay iba rin sa harap. Hindi maiiwasan ang pagkasunog sa SiNx protective layer — iyon ang entry ticket, katulad ng sa harap. Pero ang contact target nito ay nasa loob ng poly-Si. Ang poly-Si ay heavily doped, ito mismo ay conductive layer. Kapag naabot ng silver ang poly-Si at nakabuo ng contact, tapos na ang trabaho. **Pagkatapos, kailangan nitong huminto.** Kung patuloy na bumababa ang silver, dumadaan sa tunnel oxide at papasok sa silicon substrate — patay agad ang passivated contact. Lumilitaw ang recombination centers sa buong interface, bumababa ang Voc, at nasisira ang pundasyon ng cell na ito. Isang side note sa production-line: ang rear AlOx layer na iyon ay opsyonal pa rin sa ngayon, at maraming maker ang lumalaktaw dito. Pero habang umuunlad ang rear poly finger at iba pang localized structures, patuloy na tataas ang pangangailangan sa passivation sa mga non-metallized region, at malinaw na mas magiging mahalaga ang mga dielectric passivation layer tulad ng AlOx. **Kaya ang isang film layer na mukhang "opsyonal" ngayon ay maaaring naglalaan ng interface para sa susunod na henerasyong localized poly-Si structure.** Basahin ang ebolusyong iyon, at makikita mo na ang rear film design ay naghahanda ng daan para sa susunod na hakbang. ## Single-Layer poly-Si — Bakit Hindi Nito Kayang Panatilihin ang Linya Una, kung paano "tumatagos" ang silver papasok. Nasaklaw ito ng front-side piece: sa panahon ng firing, natutunaw ang silver sa molten glass phase at gumagalaw kasama ng glass. Sa likod, patuloy na tumatakbo ang parehong mekanismo — ang pagkakaiba ay ang front-side emitter ay tumatanggap sa mga silver spike na tumutusok, habang ang rear poly-Si ay hindi kayang tiisin ang silver na mas malalim pa. Ang problema sa single-layer poly-Si ay estruktural: binubuo ito ng mga butil, at ang mga grain boundary ay tumatakbo mula taas hanggang ibaba. **Ang mga grain boundary ay isang pangunahing mabilis na daanan para sa silver na lumipat sa kailaliman ng poly-Si.** Kapag lumipat pababa ang silver kasama ng mga grain boundary at malapit na sa tunnel oxide, maaari itong mag-trigger ng lokal na pinsala o bumuo ng metal penetration path, hanggang sa madala ang silver sa silicon substrate — at mula sa sandaling iyon, wala na ang pisikal na batayan ng passivated contact. Hindi ito haka-haka, ito ay dokumentadong obserbasyon. Sa 26.66% na papel na inilathala sa *Nature Energy* ng Ningbo Institute of Materials at JinkoSolar, binigyan ng HAADF at HR-TEM ng buong pisikal na pagsusuri ang firing interface ng isang single-layer poly-Si sample: lumitaw ang mga silver nanoparticle na nakakalat sa loob ng silicon substrate, na may mga silver trace na tumatakbo mula poly-Si hanggang sa substrate. Ang tunnel oxide mismo ay buo pa rin, pero hindi nito napigilan ang silver — hindi kayang pigilan ng isang barrier ang silver na dumadaloy pababa kasama ng mga grain boundary. ## Bilayer Design: Hindi Pinapatay, Kundi Nag-iiwan ng Pinto Ang kontra-intuitibong bahagi ng solusyon ng papel: **sa halip na patayin ang silver, ginawan nila ito ng daan na nagsasabing "huminto pagdating."** Ang likod ay ginawa gamit ang dalawang poly-Si layer, mga 100 nm ang kabuuan, bawat isa ay may sariling trabaho. **Inilalarawan nito ang partikular na bilayer structure na ginamit sa papel. Hindi lahat ng bilayer poly-Si ay sumusunod sa fixed na 60/40 nm, heavy-doped/light-doped configuration na ito.** **Outer layer, 60 nm, heavily doped, halos amorphous — ang reception hall.** Maraming grain boundary, mataas na phosphorus concentration, malayang pumapasok ang silver. Kapag naabot nito ang posisyon, bumubuo ito ng ohmic contact sa heavily doped poly-Si. Ito ang "conduct" role: kailangang mabuo ang contact, kailangang lumabas ang current. **Inner layer, 40 nm, lightly doped, highly crystalline — ang gate.** Mataas na crystallinity, mababang grain boundary density, wala nang mapupuntahan ang silver kapag nakarating dito. Ito ang structural layer na gumagawa ng "blocking." **Tunnel oxide — ang huling chemical barrier.** Hindi lang ito manipis sa pisikal na aspeto. Mas mahalaga, binabago nito ang mga kondisyon ng interface para patuloy na lumipat ang pilak patungo sa silicon substrate at bumuo ng matatag na metal phase. Kapag napigilan ang pilak malapit sa highly crystalline poly-Si at sa SiOx interface, nagiging mas mahirap ang pagbuo ng metal penetration path pababa sa substrate. Kaya ang tunay na "brake" ay hindi ginagawa ng kahit anong solong layer. Ang **highly crystalline poly-Si + tunnel oxide** na magkasama ang bumubuo sa huling linya ng depensa. Ginagawang malinaw ito ng HR-TEM comparison: sa single-layer sample, tumatagos ang pilak sa substrate bilang kalat-kalat na tuldok. Sa bilayer sample, matapos mabutas ng pilak ang karamihan ng outer layer, pinipilit ito ng inner layer na maging "bowl shape" — kumakalat ito patagilid pero hindi na makababa. Direkta rin ang epekto: ang implied open-circuit voltage ay tumaas mula 752 mV hanggang 757 mV. **Sa likod ng 5 mV na pagtaas na iyon ay isang pangunahing katotohanan — malinaw na napigilan ang pagtagos ng pilak, at napanatili ang passivation.** Ang 5 mV na ito ay hindi "ginawa," ito ay na-save — boltahe na kung hindi ay nawala sana. Isang linya para ibuod ang disenyong ito: ang karunungan ng pagharang sa pilak ay wala sa "pag-plug," nasa "pag-layer" — ang mga greeter ay nagge-greet, ang mga gatekeeper ay nagbabantay sa gate. Ang outer layer ang humahawak sa paggawa ng contact, ang inner layer ang humahawak sa bottom line, at ang tunnel oxide ang sumusuporta sa huling hinto. ## Payoff, Gastos, at Kung Saan Ito Nabibilang sa Industriya Una ang payoff: Voc,i +5 mV. Ang rear-side pillar ng 26.66% certified efficiency na iyon ay eksaktong ang bilayer structure na ito. Ngayon ang gastos, deretso: isa pang deposition, isa pang interface. Ang dagdag na proseso complexity at gastos ay totoo. At inaamin mismo ng papel na hindi napigilan ng outer layer ang 100% ng pilak — ang huling gate na iyon ay umaasa sa kombinasyon ng inner-layer poly-Si at tunnel oxide. Sa mapa ng industriya, hindi ito one-off. Ang naunang certified 26.35% bifacial TOPCon ng JinkoSolar ay gumamit ng eksaktong bilayer SiOx/poly-Si structure at UV picosecond laser selective modification. At higit sa isang academic team ang nagtatrabaho sa Bilayered at Triple-layer poly-Si. **Functional layering ng poly-Si ang direksyon ng industriya** — sa likod nito ay ang parehong lohika: alisin ang dalawang trabaho ng "contact" at "passivation" mula sa isang film, at ibigay ang bawat isa sa sarili nitong layer. Nararapat bigyang-diin dito: kahit pareho ang bilayer poly-Si, magkaiba ang paggamit ng dalawang kamakailang record. Sa papel ng Jinko 26.35% (Yangzhou University + Jinko, EES), ang bilayer structure ay pinagsama ang UV picosecond laser modification sa wet etching para selective na manipisin ang outer poly-Si sa rear non-metallized region — ang layunin ay bawasan ang parasitic absorption at itaas ang bifaciality. Iyon ay "optics problem." Ang papel ng Ningbo 26.66% ay naglalayon sa bilayer structure para harangin ang pilak at panatilihin ang passivation. Iyon ay "electrical problem." Ang bilayer poly-Si ay parang platform — iba't ibang team ang nagso-solve ng iba't ibang problema dito, pero pareho ang direksyon: hayaan ang bawat layer na gumawa ng isang bagay lang. Sa sariling listahan ng next-stage efficiency levers para sa TOPCon ng team ni Ye Jichun, ang bilayer poly-Si structures at localized polysilicon (poly finger) ay nasa unahan — ang *Nature Energy* papel na ito ay ginawang record ang unang item sa listahang iyon. Kailangan pa ring magbuhos ng malamig na tubig: ang mga record na ito ay ginawa sa lab equipment, sinasabi mismo ng mga papel. Mula lab patungo mass-production line, yield, cycle time, gastos — bawat gate ay kailangang lampasan muli. ## Isang Talahanayan para Gawing Malinaw | Item | Front Side | Rear Side | | --- | --- | --- | | Metal faces | Multiple dielectric films + emitter | SiNx + poly-Si + SiOx | | Pinakamalaking problema | Hindi magbu-burn in ang pilak | Masyadong malalim ang pag-burn ng pilak | | Tradisyonal na fix | Magdagdag ng aluminum para palakasin ang contact | Single-layer poly-Si direct contact | | Bagong problema | Nasasaktan ng aluminum ang passivation | Tumataos ang pilak sa poly-Si | | Bagong solusyon | LECO + aluminum-free silver paste | Bilayer poly-Si | | Pangunahing ideya | Mag-burn in nang tumpak | Huminto nang tumpak | ## Tatlong Linya na Iuwi sa Line Crew **Una, ang rear-side disease at front-side disease ay lumalabas sa dalawang magkaibang parameter.** Kapag nagkamali ang front, karaniwang lumalabas sa FF (contact resistance). Kapag nagkamali ang rear, karaniwang lumalabas sa Voc (passivation punched through). Kapag hinahabol mo ang Voc anomaly, bukod sa pagsuri sa passivation process, ang firing temperature at poly-Si structure ay dapat nasa listahan. **Pangalawa, kung gaano kalayo ang nararating ng pilak ay desisyon ng structure. Ang firing ay kumokontrol lang sa throttle.** Kung gaano kalalim ang nararating ng pilak — ang upstream ay ang poly-Si structure design: single o bilayer, mataas o mababang crystallinity, doping concentration gradient. Ang firing window ay kumokontrol lang sa bilis sa track na iyon. Kung ang structure ay hindi nagbibigay ng linya ng depensa, walang fine firing tuning ang makakapagligtas. **Pangatlo, ang pag-layer ay ang trend. Bantayan nang mabuti ang supporting stack.** Functional layering ng poly-Si, rear poly finger, AlOx na mula optional patungong mandatory — magkakaugnay ang mga ebolusyong ito. Kapag nagpaplano ka ng proseso, huwag lang tumingin sa isang hakbang, tingnan ang direksyon ng ebolusyon ng structure. Kaya ang tunay na efficiency lever sa TOPCon metallization ay hindi ang pag-burn ng pilak nang "mas matindi," kundi ang malaman kung saan dapat mapunta ang pilak. Front side: hayaan itong makapasok nang tumpak. Rear side: hayaan itong huminto nang tumpak. **At ang susunod na hakbang pasulong ay gawing mas kaunti at mas kaunti ang pilak mismo.** ## Pananaw ng Ooitech Ang bahaging laging kumakagat sa amin sa shop floor ay ang mga problema sa Voc ay bihirang ma-trace pabalik sa isang knob lang. Ang rear Voc na hindi gumagaling kahit anong tune mo sa firing window ay karaniwang kwento ng structure, hindi kwento ng paste — at ang bilayer poly-Si ay parang pag-amin ng industriya diyan. Sulit tandaan na ang mga numerong ito ay galing pa rin sa lab tools, kaya ang paglukso sa tunay na linya ay doon nagkakatalo ang yield at cycle time. Kung gusto mo ang ganitong cell-level teardown, ang YouTube channel sa [www.youtube.com/ooitech](http://www.youtube.com/ooitech) ay may mas marami mula sa loob ng tunay na module lines. --- ##### Mga Tag : ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h700_fitblur_v2_w800_h700_fitblur_v2_1757399770541443.webp) ### Humiling ng Quote Lahat ng upload ay secure at kumpidensyal. ## Naghahatid kami ng expertise na maaasahan mo aming serbisyo Direct-from-Factory Equipment. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/money-2.svg) ### Mga Kalamangan na Cost-Effective Naghahatid kami ng pambihirang halaga, pinalalaki ang mga resulta habang ino-optimize ang badyet para sa mga kliyente. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/staff.svg) ### Ang Aming Experienced Team Ang aming mga bihasang propesyonal ay dalubhasa sa mga makabagong solusyon at mga pasadyang estratehiya. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/certified.svg) ### 15+ Taon ng Karanasan sa Industriya Ang malalim na kadalubhasaan ay nagsisiguro ng maaasahan, may kamalayan sa uso, at napatunayang mga resulta para sa tagumpay. ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477357667605.webp ) ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477724911512.webp) ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ## Ano ang Sinasabi ng Aming Kliyente Sabi tungkol sa amin Pinupuri ng mga testimonya ng kliyente ang aming malalim na pag-unawa sa kanilang mga hamon, na humahantong sa mga makabagong solusyon at matibay na ROI. Ang mga pangmatagalang pakikipagtulungan—ang ilan ay mahigit isang dekada—ay nagpapakita ng kanilang tiwala at kasiyahan. Ang kanilang mga kuwento ng tagumpay ay nagtutulak sa amin na patuloy na malampasan ang mga inaasahan. [Alamin Pa **](#quote-form) ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) salamat sa propesyonal na suporta ng ooitech at sa on time na after service. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1784509010217979.webp) ### Diarra Mula sa Africa ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Salamat sa Ooitech sa pagbibigay ng ganap na awtomatikong kagamitan sa produksyon—napakahusay ng inyong pag-install at serbisyo pagkatapos ng benta. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041720921238.webp) ### Amjad ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Maraming salamat muli sa napakalaking tulong para sa pagpapabuti at pag-aayos ng pabrika at pati na rin sa pagtuturo sa mga manggagawa kung paano gamitin ang mga makina ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1757479675272137.webp) ### Mark BIPV Philippines ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Salamat sa Ooitech sa pagbibigay ng lubos na angkop na kagamitan sa eksperimento ng BC solar cell. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1776426122864564.webp) ### KTECH ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Isang lalaking may malaking puso. Maraming salamat sa iyong pagbisita Mr Wu. Maraming salamat sa mga serbisyong ibinigay sa pag-install ng kagamitan at pagsasanay sa aking mga estudyante. Ang pinakamabait na tao at propesyonal sa kanyang larangan ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041716444445.webp) ### Jizzakh Polytechnic Institute ## Aming Pinakabagong mga Produkto ![Shingled Stringer SL-30C: ±0.15mm, 1800mm String](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774263321793147.webp) - [** ooitech](./automatic-shingled-stringer-sl-30c-shingled-solar-cell-welding-machine-ooitech.html) - [** 87629](./automatic-shingled-stringer-sl-30c-shingled-solar-cell-welding-machine-ooitech.html) ### Shingled Stringer SL-30C: ±0.15mm, 1800mm String Ang Ooitech SL-30C Automatic Shingled Stringer ay isang high-speed shingled solar cell welding machine na may 3000-5000 pcs/h capacity, CCD camera inspection ![Buong Awtomatikong Kagamitan sa Linya ng Produksyon ng Solar Panel](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774401482439949.webp) - [** Rachael](./full-automatic-solar-panel-production-line-equipment-ooitech.html) - [** 98786](./full-automatic-solar-panel-production-line-equipment-ooitech.html) ### Buong Awtomatikong Kagamitan sa Linya ng Produksyon ng Solar Panel Ang Ooitech full automatic solar panel production line ay sumasaklaw sa glass loading, EVA laying, string layout, tape sticking, lamination, trimming, framing ![SL-1000 Pang-welding ng Back Contact Cell: 600 Cell/oras](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774263750726273.webp) - [** Rachael](./sunpower-back-contact-cell-welding-machine-sl-1000-ibc-back-contact-solar-cell-stringer.html) - [** 45600](./sunpower-back-contact-cell-welding-machine-sl-1000-ibc-back-contact-solar-cell-stringer.html) ### SL-1000 Pang-welding ng Back Contact Cell: 600 Cell/oras Ang SUNPOWER Back Contact Cell Welding Machine SL-1000 ng Ooitech ay may electromagnetic welding, CCD+SCARA robot positioning, dual cell loading ![CHT9951A Hipot Tester ng Insulasyon: 0.1-10kV DC](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774601338282260.webp) - [** Rachael](./cht9951a-cht9951b-solar-panel-hipot-insulation-resistance-tester-pv-module-safety-testing-equipment.html) - [** 58832](./cht9951a-cht9951b-solar-panel-hipot-insulation-resistance-tester-pv-module-safety-testing-equipment.html) ### CHT9951A Hipot Tester ng Insulasyon: 0.1-10kV DC CHT9951A/CHT9951B hipot at insulation resistance tester para sa solar PV module testing. DC output hanggang 10kV, insulation resistance hanggang 99GΩ ![OTMT-A Sun Simulator: Class A, ≤±1% Kawalang-tatag](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774513832212306.jpg) - [** ooitech](./solar-panel-tester-sun-simulator-otmt-a-aaa-class-solar-module-iv-tester-ooitech.html) - [** 779](./solar-panel-tester-sun-simulator-otmt-a-aaa-class-solar-module-iv-tester-ooitech.html) ### OTMT-A Sun Simulator: Class A, ≤±1% Kawalang-tatag Ang Ooitech OTMT-A Solar Panel Tester Sun Simulator ay isang AAA class solar module IV testing system na may xenon lamp technology, sumusunod sa IEC 60904-9 ![AM050FH MBB Tabber Stringer: 6800 Strip/oras, ±0.05mm](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774262936967131.webp) - [** ooitech](./am050fh-mbb-pv-cell-soldering-stringer-fully-automatic-solar-cell-tabber-stringer-machine-ooitech.html) - [** 56990](./am050fh-mbb-pv-cell-soldering-stringer-fully-automatic-solar-cell-tabber-stringer-machine-ooitech.html) ### AM050FH MBB Tabber Stringer: 6800 Strip/oras, ±0.05mm Automatic solar cell tabber stringer: Ang AM050FH ay naghihinang ng multi-busbar cells na may laser half-cut at 1/3-cut sa isang platform, para sa MBB at half-cut lines.