# Mga Gilid na Hinihiwa ng Laser sa TOPCon: Pinapasibo ang Cross-Section > Ang isang laser cut ay nag-iiwan ng hubad na silikon sa magkabilang dingding ng isang four-cut cell. Ang pagpapahid ng tunnel oxide at doped poly-Si sa dingding na iyon ay ginagawa itong isang contact. ![Mga Gilid na Hinihiwa ng Laser sa TOPCon: Pinapasibo ang Cross-Section](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20261016/2026101624242424.webp) - ** Koponan ng Editoryal ng Ooitech - ** 2026-10-24 - ** 0 (na) Pagtingin - ** [Blog](./Blog.html) ## Mga Gilid na Hinihiwa ng Laser sa TOPCon: Pinapasibo ang Cross-Section **Mabilis na sagot:** Ang pagputol ng isang cell sa apat na bahagi ay naghahati nito sa isang laser groove, at ang groove na iyon ay nag-iiwan ng hubad na silikon sa magkabilang dingding. Ang inilathalang paraan ay magpatubo ng manipis na tunnel oxide sa dingding, magdeposito ng n⁺ doped poly-Si sa ibabaw nito at takpan ang poly-Si ng AlOₓ, upang ang hiwa na mukha ay kumilos tulad ng isang selective contact sa halip na isang recombination centre. Ang bawat idinagdag na hakbang ay mababang temperatura, na siyang dahilan kung bakit ito kawili-wili sa isang linya na may LPCVD na. Ang four-cut at multi-cut cells ay ordinaryong produksyon na ngayon, at ang dahilan ay aritmetika: ang paghati ng isang cell sa apat ay nagpapababa ng current na dinadala ng bawat ribbon, nagpapaikli ng landas sa mga finger at pinuputol ang resistive loss sa interconnection. Tunay ang pakinabang at iyon ang dahilan kung bakit ang [four-cut TOPCon cells](https://www.ooitech.com/topcon-four-cut-cells-how-cutting-a-cell-into-four-increases-power-output.html) ay naging default bago pa may nagtalo tungkol sa gastos. Ang gastos ay nasa hiwa mismo. Ang isang laser groove ay naghihiwalay sa mga quarter, at ang dingding na binubuksan nito ay silikon na kailanman ay walang passivation layer. Ang mga surface state doon ay nasa gitna ng band gap, at ang mga carrier na umaabot sa dingding ay nagre-recombine. Iyon ay isang voltage loss, hindi isang shading loss, at hindi ito lumalabas sa anumang pagsukat na ginawa bago ang hakbang ng pagputol. Ang paraang inilalarawan sa ibaba ay tumitigil sa pagtrato sa dingding na iyon bilang pinsala na dapat bawasan at tinatrato ito bilang isang surface na dapat pahiran. Ito ang parehong selective-contact na ideya na ginagamit na ng TOPCon sa mukha ng wafer, inilapat sa isang surface na nilikha ng pagputol ilang hakbang sa proseso ang nakalipas. ## Ang cut edge ay isang surface, at ito ang pinakamasama sa cell Ang bawat iba pang silikon na surface sa isang tapos na module ay dumaan sa buong passivation sequence: texturing, paglilinis, isang dielectric stack, kung minsan ay isang doped layer sa ilalim nito. Ang dingding ng groove ay walang nakukuha sa mga iyon. Nilikha ito pagkatapos mabuo ang front junction at pagkatapos maidiposito ang rear stack, kaya ang iniiwan ng laser ay ang raw material. Ang mga numerong karaniwang sinasabi para sa ganoong uri ng surface ay nakapanghihina ng loob. Ang interface state densities na humigit-kumulang 1 × 1012 cm−2 eV−1 at isang surface recombination velocity na higit sa 500 cm/s, kapwa iniulat para sa as-cut na kaso sa pinagkunan na ginagamit ng artikulong ito. Laban sa isang passivated surface na sinusukat sa single-digit cm/s, ang isang hindi ginamot na cut edge ay nagre-recombine nang humigit-kumulang dalawang order of magnitude na mas mabilis. Ang dahilan kung bakit ito mahalaga ay hindi ang lawak. Ang isang cross groove ay 30 µm ang lapad at mga 1.5 µm ang lalim, at ang pagputol ng isang M10 cell sa apat ay nagbubukas ng humigit-kumulang isang square millimetre ng dingding laban sa 33,000 mm2 ng mukha ng wafer. Sa halip, ito ay dahil ang mga carrier na nalilikha sa loob ng isang diffusion length mula sa hiwa ay maaaring umabot dito, at ang dingding ay tumatakbo sa buong haba ng cell sa parehong direksyon. Ang haba ng linya ang sinusukat ng loss, at ang cross pattern ay naglalagay ng mahabang linya sa gitna ng bawat quarter. Ito rin ang dahilan kung bakit ang loss ay kumikilos tulad ng isang problema sa voltage. Ang recombination sa gilid ay nag-aalis ng mga carrier mula sa bulk, at ang open-circuit voltage ay tumutugon sa kabuuang recombination rate sa buong cell. Gumagalaw din ang fill factor. Ang shading ay lalabas sa current; ito ay lumalabas sa Voc at FF, na isang hindi gaanong halatang lugar na tingnan kapag ang isang proseso ng pagputol ay kinukwalipika. ## Ano talaga ang coating Ang inilathalang istruktura ay naglalagay ng tatlong layer sa dingding ng hiwa, sa isang tiyak na pagkakasunod-sunod. Pagbasa palabas mula sa silikon: isang napakanipis na silicon oxide na kayang lagpasan ng mga carrier, isang mabigat na doped polysilicon layer na nagdadala sa kanila palayo, at isang aluminium oxide cap na nagtatapos sa chemical passivation ng interface. | Layer sa dingding ng hiwa | Kapal | Ano ang ginagawa nito | | --- | --- | --- | | Tunnel oxide, SiO2 | mga 1–1.2 nm | Sapat na manipis para lagpasan ng mga carrier, sapat na makapal para ilayo ang metal at ang doped layer sa surface ng silikon | | Doped poly-Si | 80–120 nm | Nagdadala ng mga nakolektang carrier patagilid at nagtatakda ng work function na gumagawa sa contact na selective | | AlOx cap | mga 10 nm | Chemical passivation ng natitirang interface states, kasama ang barrier laban sa kontaminasyon | Dalawang detalye ang naghihiwalay dito sa simpleng muling pagpapatubo ng oxide. Una, ang stack ay hindi lamang dielectric; naglalaman ito ng doped semiconductor, kaya kaya rin nitong mag-conduct. Ang isang purong oxide ay magpapassivate sa dingding at iiwan itong elektrikal na patay, na ayos lang para sa isang surface na walang kinokolekta, ngunit ang dingding dito ay nasa pagitan ng dalawang quarter cell na kapwa kailangang magpadala ng current. Ikalawa, mahalaga ang mga kapal sa paraang hindi mahalaga sa isang flat wafer. Ang poly-Si ay dapat sapat na makapal upang manatiling tuloy-tuloy sa isang 1.5 µm na lalim na groove na may bilugang ilalim. Dapat din itong sapat na manipis upang ang sariling stress nito ay hindi ito pumutok o magtanggal mula sa dingding. Ang pinagkunan ay nagbibigay ng 120 nm para sa poly-Si sa paglalarawan ng istruktura at 80 nm sa process sequence, at nagpapansin na ang 80 nm ay sapat para sa field passivation effect. Ang pagkakaibang iyon ay dapat pansinin sa halip na pantayin: iminumungkahi nito na ang kapal ng layer ay isang tunable sa loob ng process window, hindi isang fixed target, at ang parehong halaga ay nasa saklaw na itinuturing na magagawa ng mga may-akda. ## Bakit ang manipis na oxide at doped layer ay nagsasala ng mga carrier Ang mekanismo ay band engineering sa halip na chemistry, at ito ang parehong mekanismo na nagpaging-kompetitibo sa TOPCon noong una. Sa hubad na dingding, ang mga interface state ay nakakalat sa buong band gap. Ang isang electron na umaabot sa isa sa mga state na iyon ay may matutuluyan, at ang isang hole na dumarating sa parehong state ay nagsasara ng circuit: nagre-recombine ang dalawa, at nawawala ang pares. Kapag nakalagay na ang oxide at ang doped na poly-Si, hindi na flat ang band structure sa interface. Hinaharangan ng manipis na oxide ang direktang daan sa pagitan ng silicon at ng doped na layer habang nananatiling sapat na manipis para makatagos ang mga electron dito. Binabaluktot ng charge sa doped na layer ang mga band sa silicon sa ilalim lamang ng interface, at ito ang lumilikha ng asymmetry: ang isang uri ng carrier ay nakakakita ng mababang barrier at dumadaan, ang isa naman ay nakakakita ng mataas na barrier at bumabalik. Ang iniulat na resulta ay pagbaba ng surface recombination velocity sa hiwa na gilid mula sa humigit-kumulang 500 cm/s hanggang sa mas mababa sa 10 cm/s, isang pagbabago na tinatayang 98%. Malaking numero iyon, at malaki ito dahil sa simpleng dahilan: ang panimulang punto ay isang hindi passivated na surface, na malapit sa pinakamasamang kaso na posible. Hindi posibleng mapabuti ang isang passivated na surface sa parehong factor. Mahalagang maging tumpak tungkol sa hindi ginagawa ng coating. Hindi nito inaalis ang groove, hindi nito ibinabalik ang silicon na inablate ng laser, at hindi nito ginagawang kapaki-pakinabang sa optika ang dingding. Mas makitid pa rin ang quarter. Mas makitid kaysa doon ang claim: tumitigil ang hiwa na mukha sa pagiging lugar kung saan namamatay ang mga carrier, at nagsisimula itong maging lugar kung saan maaari silang makolekta. ## Saan napupunta ang mga hakbang ng proseso Ang rutang inilathala kasama ng istrukturang ito ay isang normal na TOPCon sequence na may isang insertion: pagkatapos hiwain ng laser ang cross groove, ini-oxidize at muling dino-dope ang dingding bago ideposito ang cell-level passivation stack. Nananatili sa dati ang lahat ng iba pa. | Hakbang | Inilathalang kondisyon | Bakit ganito ang pagkakatakda | | --- | --- | --- | | Laser cross grooving | 30 µm ang lapad, 1.5 µm ang lalim | Sapat ang lalim para maayos na paghiwalayin ang mga quarter, sapat ang kababaw para limitahan ang lawak ng dingding at ang mekanikal na pinsala sa paligid nito | | Ozone oxidation | 90 °C, 30 s, mga 1 nm | Nagpapalaki ng pantay na oxide nang walang thermal budget na makakagambala sa junction na nasa wafer na | | LPCVD poly-Si | 80 nm, dino-dope in situ | Ang doping habang nagdedeposito ay umiiwas sa hiwalay na diffusion step at nagbibigay ng makokontrol na concentration gradient sa buong layer | | Activation anneal | 750 °C, 20 min | Ina-activate ang dopant at kinikristalisa ang layer, at ito ang gumagawa nitong conductor sa halip na dielectric | | Groove rounding | 2 s TMAH pagkatapos ng grooving | Pinapakinis ang matutulis na sulok ng groove kung saan nagsisimula ang mga crack at discontinuities ng coating | | Crystallinity check | Raman, higit sa 80% | Ang hindi ganap na nakristalisang layer ay mahinang nagpapassivate at mas mahinang nagko-conduct, kaya itinuturing itong masusukat na output | Ang TMAH rounding at ang crystallinity check ang dalawang detalye na nagpapamukhang production route ito sa halip na laboratory demonstration. Ang 1.5 µm na groove ay may sulok, at sa mga sulok pumapayat ang mga naidepositong film at doon nagkokonsentra ang stress. Ang pag-round ng sulok sa loob ng dalawang segundo ay halos walang gastos at inaalis ang isang klase ng failure na kung hindi ay lalabas mamaya, sa thermal cycling o sa handling. Para sa isang linya, ang kawili-wiling bahagi ay wala sa mga idinagdag na hakbang ang nangangailangan ng bagong tool. Ang oxidation, deposition at anneal ay kasya lahat sa LPCVD capacity na mayroon na ang isang TOPCon line, at ang dalawang idinagdag na hakbang ay mababang temperatura, kaya hindi nagagambala ang thermal budget ng natapos na cell. Iniulat ng source ang line tact loss na mas mababa sa 3%, at ito ang unang numerong dapat suriin kapag may iminumungkahing bagong hakbang: ang hakbang na nagpapabuti ng efficiency ng kalahating punto pero kumakain ng 10% ng throughput ay ibang proposal kaysa sa isang kumakain ng 3%. Nagbabago rin ang back end ng sequence, at hindi dahil sa coating. Ang four-cut cell na nagpapanatili ng 12BB layout nito ay kailangang i-string mula sa quarter cells, at ang hiwa na gilid ay surface na hinahawakan na ngayon ng stringer. Ang placement tolerance, ang puwersang inilalapat ng ribbon sa joint at ang dami ng init na nararanasan ng cell habang nagso-solder ay lahat kumikilos sa pirasong may 30 µm na groove sa gilid nito. Doon nagtatagpo ang [fine-wire tabbing and stringing](https://www.ooitech.com/am050fh-mbb-pv-cell-soldering-stringer-fully-automatic-solar-cell-tabber-stringer-machine-ooitech.html) na kagamitan at ang [bussing step](https://www.ooitech.com/automatic-bussing-machine-dh200-y-solar-panel-busbar-soldering-equipment-ooitech.html) sa disenyo ng cell, at iyon ang bahagi ng flow na hindi tinutugunan ng coating. ## Ano ang ipinapakita ng iniulat na paghahambing Nagpi-print ang source ng before-and-after na paghahambing para sa isang standard na four-cut cell at sa parehong cell na may coated na gilid. Inuulit ito ng talahanayan sa ibaba. Ito ang mga numerong inilathala kasama ng ruta; nagmula ang mga ito sa isang source, at hindi namin ito independiyenteng na-verify. | Parameter | Standard na four-cut | May passivated na gilid | Pagbabago | | --- | --- | --- | --- | | Edge SRV (cm/s) | 500 | mas mababa sa 10 | −98% | | Open-circuit voltage (mV) | 736 | 744 | +8 mV | | Short-circuit current (mA/cm2) | 40.8 | 41.0 | +0.2 | | Fill factor (%) | 84.0 | 84.5 | +0.5 | | Cell efficiency (%) | 25.3 | 25.8 | +0.5 absolute | | Bifaciality (%) | 85 | 90 | +5 points | Tingnan ang pattern sa halip na ang mga indibidwal na halaga. Mas malaki ang voltage gain kaysa sa current gain, at ito ang hinuhulaan ng mekanismo: ang recombination sa isang surface ay unang kumakain ng voltage. Bahagyang gumagalaw ang fill factor, tugma sa maliit na pagbaba ng bahagi ng lawak na elektronikong patay. Sumusunod ang efficiency sa voltage, at ang 0.5 points absolute ang headline claim. Ang bifaciality figure ay dapat mas bigyan ng pag-iingat kaysa sa iba. Ang pag-akyat mula 85% hanggang 90% ay limang puntos na pagtalon na dulot ng pagbabago sa isang surface na maliit na bahagi lamang ng rear area ng cell, at hindi ipinapaliwanag ng source ang mekanismo. Maaaring totoo ito kung dati ay lokal na shunt path sa rear ang hiwa na gilid, pero ito rin ang uri ng numerong kayang ilabas ng isang maliit na sample. Ituring itong pinakakaunting suportadong linya sa talahanayan. ## Ano ang hindi pa sigurado Apat na bagay ang kulang sa inilathalang kaso, at mahalaga ang lahat ng apat bago mag-commit ang isang linya. - **Reliability data sa coated na gilid.** Ang isang 1 nm oxide at isang 10 nm aluminium oxide cap sa dingding ng ukit ay nakakaranas ng parehong damp heat, thermal cycling at mechanical load tulad ng iba pang bahagi ng cell. Ang isang hiwa na gilid ay isa ring stress raiser sa ilalim ng thermal cycling, dahil ang dalawang quarter cell ay lumalawak laban sa isang ukit. Wala sa mga iyon ang lumalabas sa comparison table. - **Ang tanong tungkol sa kapal.** Ang source ay nagbibigay ng dalawang magkaibang kapal ng poly-Si para sa parehong istruktura. Hindi iyon kontradiksyon, ngunit nangangahulugan ito na ang optimum ay hindi pa natutukoy nang tiyak, at ang kapal ay nakakaapekto sa stress, oras ng deposition at tact nang sabay. - **Malayang replikasyon.** Ang pagtaas ng efficiency ay nagmumula sa isang iniulat na data set. Ang 0.5 point absolute na pagtaas ay sapat na malaki upang sulit na habulin at sapat na malaki upang sulit na i-double-check sa ibang linya at ibang kombinasyon ng paste at ribbon. - **Ang interaksyon sa iba pang bahagi ng cell.** Ang pagdaragdag ng doped layer sa dingding ng ukit ay nagbabago sa ginagawa ng dingding na iyon sa elektrikal sa pagitan ng dalawang quarter. Kung paano ito nakikipag-ugnayan sa rear metallisation pattern at sa stringing ng quarter cells ay isang tanong sa sistema, hindi tanong sa coating. May mas malawak na punto sa parehong direksyon. Ang paghiwa ng cell ay isang trade na tinanggap batay sa pakinabang ng interconnection lamang. Ang [four-cut framework](https://www.ooitech.com/four-cut-cell-technology-the-next-efficiency-code-in-the-pv-industry.html) ay itinuturing na ibinigay ang hiwa, at ang [multi-cut analysis](https://www.ooitech.com/multi-cut-solar-modules-a-practical-analysis-of-shade-resistance.html) ay tumitingin sa ginagawa ng mas maliit na cell sa shading at sa layout ng module. Ang trabaho sa hiwa na gilid ay umaatake sa cost side ng trade na iyon, at kung ito ay mananatiling matibay, binabago nito ang optimum na bilang ng mga hiwa kaysa sa pagpapabuti lamang ng umiiral. ## Paano ito basahin laban sa iba pang usapan tungkol sa paghiwa Tatlong magkaibang ideya ang karaniwang pinagsasama-sama kapag lumalabas ang four-cut cells, at ang paghihiwalay sa kanila ay nagpapadali sa pagbasa ng literatura. Ang una ay ang pakinabang ng interconnection: ang quarter cells ay nagdadala ng sangkapat ng current, kaya ang resistive loss sa ribbon ay bumaba nang husto. Iyon ay settled na at iyon ang dahilan kung bakit ang teknolohiya ay nasa produksyon. Ang pangalawa ay ang konsekwensya sa antas ng module, kung saan binabago ng mas maliliit na cell ang shade tolerance, mga pangangailangan sa junction box at ang mekanikal na pag-uugali ng laminate; ang [two-part junction box](https://www.ooitech.com/why-topcon-four-cut-modules-need-two-part-junction-boxes-a-look-at-pv-junction-box-evolution.html) ay isang nakikitang resulta. Ang pangatlo ay ang hiwa na ibabaw mismo, na siyang paksa dito at kadalasang nilalaktawan ng unang dalawang usapan. Ang praktikal na ugnayan sa pagitan nila ay ang process flow. Ang grooving ay ginagawa ng isang [laser cutting step](https://www.ooitech.com/SC-20P-Automatic-Solar-Cell-Laser-Cutting-Machine-High-Precision-BC-Cell-Processing-Equipment.html), ang coating step ay napupunta sa LPCVD capacity na pagmamay-ari na ng linya, at ang finishing steps ay [metallisation](https://www.ooitech.com/pv-cell-metallization-can-the-silver-blocking-playbook-be-used-to-stop-copper.html) at stringing. Ang isang linya na nagsusuri ng rutang ito ay talagang nagsusuri kung ang insertion ay kasya sa pagitan ng dalawang tool na mayroon na ito, at ang nai-publish na tact number ay humigit-kumulang 3%. ## FAQ ### Tinatanggal ba ng coating ang pangangailangan sa paghiwa? Hindi. Ang mga quarter ay hinihiwa pa rin at ang ukit ay nandoon pa rin. Ang nagbabago ay ang elektrikal na pag-uugali ng dingding na inilantad ng ukit, hindi ang geometry. ### Bakit hindi na lang hiwain gamit ang mas banayad na proseso? Ang mas malinis na hiwa ay nagpapababa ng pinsala ngunit nag-iiwan pa rin ng unpassivated na ibabaw. Ang recombination ay nagmumula sa nawawalang passivation kasing dami ng sa roughness, kaya ang sagot dito ay coating kaysa sa mas mahusay na laser recipe. ### Mapagkakatiwalaan ba ang 1 nm oxide? Ang mga tunnel oxide sa ganoong antas ay ginagamit na sa produksyon ng TOPCon, kaya ang konsepto ay napatunayan sa mukha ng wafer. Kung ang parehong kapal ay mananatili sa dingding ng ukit, na may ibang surface orientation at mas magaspang na simula, ay isa sa mga bukas na tanong. ### Naaangkop ba ito sa TOPCon lamang? Ang kombinasyon ng tunnel-oxide at doped-poly-Si ay isang TOPCon structure, kaya ang ruta ay natural na nakatuon sa mga linyang gumagamit na nito. Ang ibang uri ng cell na hinihiwa sa piraso ay mangangailangan ng passivation stack na compatible sa sarili nilang proseso, na ibang problema sa engineering. ### Ano ang unang titingnan namin sa isang trial? Ang edge SRV proxy at ang voltage, bago ang anupaman. Ang deposition uniformity sa haba ng 30 µm na lapad ng ukit, ang crystallinity ng layer, at ang tact cost ng mga idinagdag na hakbang ang susunod, at ang mekanikal na pag-uugali ng quarter pagkatapos ng grooving ang pinakamalamang na makalimutan. ### Binabago ba ng coating ang dapat gawin ng stringer? Hindi direkta. Ang coating ay elektrikal, kaya ang placement accuracy, soldering temperature at handling force ay hindi nagbabago. Ang quarter cell mismo, na may ukit sa loob nito, ay nananatiling mas mahirap na bagay na hawakan, at iyon ay hiwalay na constraint mula sa tinutugunan ng gawaing ito. ## Mga huling pagninilay Ang paghiwa ng silicon upang gawing mas mahusay ang mga cell ay medyo kakaibang trade, at gumagana ito dahil malaki ang pakinabang ng interconnection. Ang ginagawa ng piraso ng gawaing ito ay isinasara ang loop sa bahagi ng trade na hindi kailanman napresyuhan: ang ibabaw na nililikha ng hiwa. Ang pag-coat sa dingding ng ukit gamit ang parehong selective-contact stack na ginagamit ng cell sa ibang bahagi ay isang magkakaugnay na sagot, at ang katotohanan na magagawa ito gamit ang umiiral na LPCVD capacity at dalawang low-temperature steps ang dahilan kung bakit sulit itong bantayan. Naaangkop ang karaniwang pag-iingat. Ang mekanismo ay matibay at nagmumula sa matatag na physics; ang iniulat na half-point efficiency gain ay nagmumula sa isang source at hindi pa nakumpirma nang malaya, at ang bifaciality figure lalo na ay mas mahina kaysa sa iba pang bahagi ng table. Para sa isang linya, ang makatwirang posisyon ay subaybayan ito bilang process insertion na may tunay ngunit hindi pa beripikadong pakinabang, at subukan ito sa pagsukat na hinuhulaan ng mekanismo, na siyang voltage. **Kaugnay na pagbabasa:** [TOPCon four-cut cells: ano ang binabago ng hiwa](https://www.ooitech.com/topcon-four-cut-cells-how-cutting-a-cell-into-four-increases-power-output.html) · [Teknolohiya ng four-cut cell: ang argumento sa efficiency](https://www.ooitech.com/four-cut-cell-technology-the-next-efficiency-code-in-the-pv-industry.html) · [Multi-cut modules at shade resistance](https://www.ooitech.com/multi-cut-solar-modules-a-practical-analysis-of-shade-resistance.html) · [Bakit kailangan ng four-cut modules ang two-part junction boxes](https://www.ooitech.com/why-topcon-four-cut-modules-need-two-part-junction-boxes-a-look-at-pv-junction-box-evolution.html) · [THBC cells at passivating contacts](https://www.ooitech.com/thbc-solar-cell-technology-how-hybrid-passivated-back-contact-breaks-the-28-efficiency-barrier.html) · [Metallisation ng PV cell at ang tanong tungkol sa tanso](https://www.ooitech.com/pv-cell-metallization-can-the-silver-blocking-playbook-be-used-to-stop-copper.html) · [Mga tabber at stringer machine: paano sila gumagana](https://www.ooitech.com/tabber-and-stringer-machine-how-it-works-how-to-choose.html) · [Kagamitan sa laser cell cutting](https://www.ooitech.com/SC-20P-Automatic-Solar-Cell-Laser-Cutting-Machine-High-Precision-BC-Cell-Processing-Equipment.html) · [BC cell roadmap: mula istruktura hanggang proseso](https://www.ooitech.com/bc-cell-technology-roadmap-structure-to-process.html) · [Mga istasyon at layout ng solar panel line](https://www.ooitech.com/solar-panel-manufacturing-machine-stations-and-line-layout.html) Tala sa data: ang mga kapal ng layer, kondisyon ng proseso at ang before-and-after comparison ay ang mga halagang inilathala kasama ng rutang ito at muling ginawa ayon sa iniulat; hindi pa ito nakumpirma nang malaya. Ang figure ng wall area na humigit-kumulang 1 mm2 ay aming sariling estima mula sa 30 µm na ukit, 1.5 µm na lalim at dalawang full-length na hiwa sa 182 mm na cell, laban sa wafer face na 33,124 mm2. Ang ranggo ng mga pagkalugi, boltahe bago ang kasalukuyang, ay nagmumula sa mekanismo sa halip na sa isang nakalimbag na pigura. --- ##### Mga Tag : ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h700_fitblur_v2_w800_h700_fitblur_v2_1757399770541443.webp) ### Humiling ng Quote Lahat ng upload ay secure at kumpidensyal. ## Naghahatid kami ng expertise na maaasahan mo aming serbisyo Direct-from-Factory Equipment. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/money-2.svg) ### Mga Kalamangan na Cost-Effective Naghahatid kami ng pambihirang halaga, pinalalaki ang mga resulta habang ino-optimize ang badyet para sa mga kliyente. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/staff.svg) ### Ang Aming Experienced Team Ang aming mga bihasang propesyonal ay dalubhasa sa mga makabagong solusyon at mga pasadyang estratehiya. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/certified.svg) ### 15+ Taon ng Karanasan sa Industriya Ang malalim na kadalubhasaan ay nagsisiguro ng maaasahan, may kamalayan sa uso, at napatunayang mga resulta para sa tagumpay. ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477357667605.webp ) ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477724911512.webp) ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ## Ano ang Sinasabi ng Aming Kliyente Sabi tungkol sa amin Pinupuri ng mga testimonya ng kliyente ang aming malalim na pag-unawa sa kanilang mga hamon, na humahantong sa mga makabagong solusyon at matibay na ROI. Ang mga pangmatagalang pakikipagtulungan—ang ilan ay mahigit isang dekada—ay nagpapakita ng kanilang tiwala at kasiyahan. Ang kanilang mga kuwento ng tagumpay ay nagtutulak sa amin na patuloy na malampasan ang mga inaasahan. [Alamin Pa **](#quote-form) ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Isang lalaking may malaking puso. Maraming salamat sa iyong pagbisita Mr Wu. Maraming salamat sa mga serbisyong ibinigay sa pag-install ng kagamitan at pagsasanay sa aking mga estudyante. Ang pinakamabait na tao at propesyonal sa kanyang larangan ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041716444445.webp) ### Jizzakh Polytechnic Institute ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Salamat sa Ooitech sa pagbibigay ng ganap na awtomatikong kagamitan sa produksyon—napakahusay ng inyong pag-install at serbisyo pagkatapos ng benta. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041720921238.webp) ### Amjad ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) salamat sa propesyonal na suporta ng ooitech at sa on time na after service. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1784509010217979.webp) ### Diarra Mula sa Africa ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Maraming salamat muli sa napakalaking tulong para sa pagpapabuti at pag-aayos ng pabrika at pati na rin sa pagtuturo sa mga manggagawa kung paano gamitin ang mga makina ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1757479675272137.webp) ### Mark BIPV Philippines ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Salamat sa Ooitech sa pagbibigay ng lubos na angkop na kagamitan sa eksperimento ng BC solar cell. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1776426122864564.webp) ### KTECH ## Aming Pinakabagong mga Produkto ![PV Busbar Ribbon Integrated na Pagguhit, Pag-roll, at Pag-tinning](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026051194879300.webp) - [** ooitech](./pv-busbar-ribbon-integrated-drawing-rolling-tinning-production-line.html) - [** 715](./pv-busbar-ribbon-integrated-drawing-rolling-tinning-production-line.html) ### PV Busbar Ribbon Integrated na Pagguhit, Pag-roll, at Pag-tinning Propesyonal na integrated PV busbar ribbon production line na pinagsasama ang wire drawing, rolling, flat drawing, annealing at tin coating processes para sa high ![GIV Solar Simulator: Klaseng A+, <1% Hindi Pagkapanatag](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774508988152657.webp) - [** Rachael](./gsolar-solar-panel-tester-sun-simulator-giv-20a2616-a-a-a-class-solar-module-iv-tester.html) - [** 13753](./gsolar-solar-panel-tester-sun-simulator-giv-20a2616-a-a-a-class-solar-module-iv-tester.html) ### GIV Solar Simulator: Klaseng A+, Gsolar GIV-20A2616 A+A+A+ class solar panel tester at sun simulator na may 2600mm x 1600mm testing area, 10ms-100ms long pulse duration ![KS-01C Junction Box Welding Machine: 16s na Siklo](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774492507915923.webp) - [** Rachael](./junction-box-welding-machine-ks-01c-automatic-solar-panel-junction-box-soldering-equipment-ooitech.html) - [** 92494](./junction-box-welding-machine-ks-01c-automatic-solar-panel-junction-box-soldering-equipment-ooitech.html) ### KS-01C Junction Box Welding Machine: 16s na Siklo Ang Ooitech KS-01C Junction Box Welding Machine ay may tampok na automatic hot bar tin welding at high frequency welding na may CCD positioning accuracy na ±0.1mm. ![Low-Iron Tempered Solar Glass: 93.5% na may AR Coating](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774514074283403.webp) - [** ooitech](./Solar-Glass-Ultra-Clear-Low-Iron-Tempered-Glass-for-Photovoltaic-Modules.html) - [** 47584](./Solar-Glass-Ultra-Clear-Low-Iron-Tempered-Glass-for-Photovoltaic-Modules.html) ### Low-Iron Tempered Solar Glass: 93.5% na may AR Coating Solar tempered glass para sa PV modules: ultra-clear low-iron glass na may anti-reflective coating, na umaabot sa 91.5%+ light transmittance sa G1/M6/M10/M12 sizes. ![CHT9951A Hipot Tester ng Insulasyon: 0.1-10kV DC](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774601338282260.webp) - [** Rachael](./cht9951a-cht9951b-solar-panel-hipot-insulation-resistance-tester-pv-module-safety-testing-equipment.html) - [** 58850](./cht9951a-cht9951b-solar-panel-hipot-insulation-resistance-tester-pv-module-safety-testing-equipment.html) ### CHT9951A Hipot Tester ng Insulasyon: 0.1-10kV DC CHT9951A/CHT9951B hipot at insulation resistance tester para sa solar PV module testing. DC output hanggang 10kV, insulation resistance hanggang 99GΩ ![Mga Solar Cell para sa PV Modules](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774581692247238.webp) - [** Rachael](./Professional-Solar-Cell-Solutions-for-Modern-PV-Panel-Manufacturing-Ooitech.html) - [** 71335](./Professional-Solar-Cell-Solutions-for-Modern-PV-Panel-Manufacturing-Ooitech.html) ### Mga Solar Cell para sa PV Modules Kagamitan sa pagproseso ng solar cell para sa PERC, TOPCon, HJT at BC cells – cutting, stringing, testing. Sinusuportahan ang G1/M6/M10/M12 sizes.