LONGi HIBC 28.29% World Record: LIC, iPET at ang Binabago Nito para sa mga Linya ng Module
Talaan ng Nilalaman
Noong 24 Setyembre 2026, inanunsyo ng LONGi ang isang hybrid interdigitated back-contact (HIBC) silicon solar cell na may sukat na 28.29% conversion efficiency, na independiyenteng kinumpirma ng Institute for Solar Energy Research Hamelin (ISFH) sa Germany. Ito ay isang bagong world record para sa isang single-junction crystalline silicon cell, at ito ang ikatlong pagkakataon na itinaas ng LONGi ang numerong iyon noong 2026 — pagkatapos ng 28.04% at 28.13% mas maaga sa taon. Para sa sinumang nagtatayo o nagpaplano ng linya ng pag-assemble ng module, ang kawili-wiling bahagi ay hindi ang numero. Ito ang dalawang hakbang sa proseso na kinailangang imbentuhin ng LONGi upang makarating doon, dahil ang mga hakbang na iyon ang magpapasya kung ang mga HIBC cell ay maaaring gawin sa malaking sukat — at kung ano ang kakailanganing hawakan ng isang linyang may kakayahang BC kapag dumating ang mga ito.
Ano ang Aktwal na Inanunsyo
| Item | Detalye |
|---|---|
| Uri ng cell | HIBC — Hybrid Interdigitated Back-Contact, ang ikatlong henerasyong BC architecture ng LONGi’s |
| Conversion efficiency | 28.29% |
| Kinumpirma ni | Institute for Solar Energy Research Hamelin (ISFH), Germany |
| Inanunsyo | 24 Setyembre 2026, sa UK solar show sa Birmingham |
| Posisyon vs theoretical limit | Mga 29.4% ng single-junction crystalline silicon limit |
| Progreso ng LONGi’s noong 2026 | 28.04% → 28.13% → 28.29% |
Ang efficiency figure at ang kumpirmasyon ng ISFH ay iniulat nang independiyente ng pv magazine at PV Tech. Ang detalye ng proseso sa ibaba ay hango sa ulat ng industriya ng China mula sa 新能供应链 at iniuugnay dito kaysa sa aming sariling pagsukat.
HIBC sa Isang Talata
Ang mga back-contact cell ay inililipat ang parehong positibo at negatibong electrodes sa likuran, kaya walang nagtatakip sa harap na ibabaw. Ang TBC ay naglalapat ng TOPCon (high-temperature polysilicon) passivating contact sa buong rear pattern; ang HBC ay naglalapat ng heterojunction (low-temperature amorphous silicon) contact sa halip. Ang HIBC ay hindi gumagawa ng alinman. Hinahati nito ang likuran sa interdigitated N at P collection zones at binibigyan ang bawat zone ng passivation system na pinakamahusay dito: high-temperature polysilicon contact sa electron-collecting N zone, low-temperature amorphous silicon passivation sa hole-collecting P zone. Sinaklaw namin ang buong pamilya ng acronym at kung saan nakalagay ang bawat architecture sa process sequence sa aming BC cell technology roadmap; ang artikulong ito ay nakatuon sa kung ano ang bago sa 28.29% na resulta.
Ang Dalawang Inobasyon na Talagang Bago
Ang hybrid na ideya ay napag-usapan na nang ilang panahon. Ang tila naresolba ng LONGi ay ang dalawang problema sa engineering na humadlang dito sa paggana.
1. LIC — laser-induced local crystallisation
Ang amorphous silicon ay napakahusay mag-passivate ngunit mahina ang conduction sa vertical na direksyon, dahil ito ay manipis na disordered film at ang mga carrier ay kailangang tumawid dito upang maabot ang metal. Ang karaniwang solusyon ay isang transparent conductive oxide layer, na nagdaragdag ng gastos, nagdaragdag ng absorption, at lumilikha ng sarili nitong lateral leakage path.
Ang sagot ng HIBC ay selective: i-crystallise ang silicon lamang kung saan aktwal na ginagawa ang contact. Ang sub-micron laser treatment ay nagko-convert sa mga pyramid tips sa mga contact point tungo sa nanocrystalline silicon, na mabilis na nagpapababa sa vertical contact resistance, habang ang natitirang wafer ay pinapanatili ang orihinal na amorphous silicon film nito at samakatuwid ay pinapanatili ang passivation nito. Mahalaga, dahil ang mga isolated point lamang ang kinikristal, ang lateral leakage path na manggagaling sa pagkristal ng buong film ay hindi kailanman nabubuo.
Ito ay isang laser process step na may mahigpit na spatial control. Ito ang uri ng station na kailangang tukuyin kasama ang sarili nitong process window, sarili nitong alignment tolerance, at sarili nitong yield control — hindi basta ikinakabit sa umiiral na tool bilang isang opsyon.
2. iPET — in-situ edge passivation
Ang isang tapos na cell ay pinuputol sa sukat. Ang cut edge ay isang pader ng dangling bonds at isang recombination hotspot, at sa isang back-contact cell ang gilid ay malapit sa parehong polarity regions. Ang HIBC ay bumubuo ng passivation layer sa gilid in situ sa panahon ng process flow kaysa bilang hiwalay na hakbang sa pagkumpuni pagkatapos. Ang iniulat na pakinabang ay humigit-kumulang 1.7–3 mV ng open-circuit voltage, kasama ang mas mahusay na mechanical edge integrity — na mahalaga dahil ang mga BC cell ay kilala na sa pagiging sensitibo sa bowing at warpage.
Ang Tunay na Bottleneck: Dalawang Thermal Budgets sa Isang Wafer
Lahat ng nasa itaas ay kailangang mangyari sa parehong substrate, at iyon ang mahirap na bahagi. Ang mga high-temperature step — ang mga bumubuo at nag-a-activate ng polysilicon contact — ay tumatakbo sa mga temperatura na sisira sa isang amorphous silicon film. Ang low-temperature amorphous silicon deposition ay kailangang mangyari pagkatapos, o ang mga high-temperature step ay kailangang isaayos upang hindi ito kailanman mahawakan.
Ang sequencing constraint na iyon, hindi ang cell physics, ang dahilan kung bakit mahirap gawin ang HIBC. Ang iniulat na mga hamon sa proseso ay:
- Pagkakasunod-sunod ng high-temperature / low-temperature step at thermal budget control
- Yield control sa laser local-crystallisation step
- Pagpigil sa dalawang process regimes na makasira sa mga film ng isa’t isa
Ang makitid na process window ay problema sa paggawa bago pa ito maging problema sa laboratoryo. Ang record cell ay nagpapatunay na gumagana ang architecture; hindi nito pinapatunayan na sapat ang lapad ng window para sa isang gigawatt fab.
Ano ang Ibig Sabihin Nito para sa mga Linya ng Pag-assemble ng Module
Ito ang bahaging direktang may kinalaman sa amin, at sulit na sabihin nang tapat: ang isang cell record ay hindi nagbabago sa iyong linya ng module sa susunod na quarter. Ang cell capacity ay tumatagal ng mga taon upang maitayo, at ang HIBC ay hindi drop-in na pagbabago sa mga umiiral na cell fab. Ngunit sinasabi nito sa iyo kung ano ang hihilingin sa linya ng module na hawakan, at mas mabuting planuhin ang mga interface ngayon kaysa matuklasan ang mga ito sa panahon ng factory acceptance test.
Ang back-contact handling ay kakayahan sa antas ng linya, hindi opsyon ng makina
Ang mga BC cell ay walang front busbars. Ang stringing, soldering at inspection ay gumagana sa rear surface, na nagbabago ng:
- Paghawak at oryentasyon ng cell. Bawat istasyon sa pagitan ng cutter at laminator ay kailangang malaman kung aling side ang nasa itaas, at kailangang hawakan ang cell nang hindi nagmamarka sa front surface.
- Soldering geometry. Ang mga contact pad ay nasa rear at ang pitch ay mas pino. Ang placement accuracy at temperature profile ay mas mahigpit kaysa sa conventional 5BB–20BB front-soldered cell.
- Warpage control. Ang mga BC cell ay mas kumakabog kaysa front-contact cells sa ilalim ng parehong thermal load, na nagpapalaganap sa string handling, layup placement at lamination.
- Inspection. Ang mga defect na mahalaga sa isang BC string ay iba, kaya ang EL at VI inspection ay kailangang maresolba ang mga pinong rear-side feature kaysa sa front grid interruptions.
Ito ang mga istasyon kung saan ang isang linya ay BC-ready o hindi. Gumagawa kami ng mga partikular na bersyon para dito: ang SC-20P back-contact cell laser cutting platform, ang OSLB-1300 back-contact cell stringer, at ang SL-1000 back-contact cell welder. Bawat seryosong BC programme na naibigay namin ay nangangailangan ng parehong tatlong bagay mula sa equipment side: mas malumanay na paghawak, mas mahigpit na placement, at inspection na nakatutok sa rear surface.


Bakit Mahalaga Pa Rin ang Record Kung Mga Module ang Binibili Mo, Hindi Mga Cell
Tatlong praktikal na kahihinatnan, sa pagkakasunod-sunod na malamang na maabot ang production floor:
- Ang efficiency gap sa pagitan ng mga arkitektura ay patuloy na lumalawak, at ito ay cell-level gap na ngayon. Ang HIBC ay hybrid ng dalawang process families, na nangangahulugang ang efficiency ceiling ay itinatakda ng process integration kaysa sa isang pagpipilian ng arkitektura. Asahan na ang roadmap argument ay lilipat mula sa “aling structure” patungo sa “aling process window ang aktwal na maaari mong hawakan.”
- Ang bagong cell capacity ay magiging new-build, hindi retrofit. Iniulat na ang LONGi ay nag-validate ng HIBC sa isang 500 MW pilot line at nagpaplano ng mga bagong linya kaysa sa mag-convert ng mga umiiral na HPBC line. Ang high-temperature equipment ay nagpapatuloy; ang low-temperature amorphous silicon deposition equipment ay hindi. Iyon ay isang capital cycle, at nangangahulugan ito na ang mga HIBC module ay makakarating sa merkado sa timescale ng mga bagong fab.
- Ang module equipment procurement ay maiaabante. Kapag ang isang cell line ay itinayo, ang module line sa likod nito ay tinutukoy sa parehong oras. Kung nagpaplano ka ng capacity para tumanggap ng BC cells, ang stringer, bussing, layup at inspection stations ang long-lead items at ang mga may pinakamaliit na tolerance para sa huling pagbabago ng arkitektura.
Paano Namin Ito Lalapitan
Kung sinusuri mo ang isang BC o HIBC module line, ang mga tanong na nagtatakda ng equipment specification ay hindi ang headline efficiency number. Ang mga ito ay:
- Cell format at kapal, at ang warp na aktwal na sinusukat mo sa mga papasok na cell
- Rear contact pad layout at pitch, at ang soldering process na kailangan ng layout na iyon
- Kung ang linya ay kailangang magpatakbo ng BC at TOPCon sa parehong equipment, at gaano kadalas ito nagbabago
- Ano ang inspection specification, sa mga tuntunin ng pinakamaliit na rear-side defect na kailangang mahuli
Sagutin ang apat na iyon at susunod ang station list. Ang Ooitech ay gumagawa ng buong module line — full automatic solar panel production line equipment, stringers, layup, bussing, laminators, framing at testing — at nagbigay kami ng BC-capable configurations para sa BC, IBC at HPBC programmes. Kung gusto mong suriin kung ang isang linyang pinaplano mo ay makakatanggap ng BC cell format, ipadala sa amin ang cell drawing at ang module layout at sasabihin namin sa iyo kung aling mga istasyon ang kailangang magbago.
Mga Madalas Itanong
Ang 28.29% ba ay module efficiency o cell efficiency?
Cell efficiency, na sinusukat sa isang laboratory cell at kinumpirma ng ISFH. Ang module efficiency ay palaging mas mababa, dahil sa packing losses, interconnection losses at ang area na kinukuha ng frame at busbars. Huwag direktang isalin ang isang cell record sa isang module datasheet number.
Ginagawa bang obsolete ng HIBC ang TBC at HBC?
Hindi agad. Ang HIBC ay mas mahirap gawin kaysa sa alinman, dahil kailangan nitong hawakan ang dalawang thermal budget sa isang wafer. Ang TBC at HBC ay nananatiling mas simpleng process flows. Ipinapakita ng record na ang hybrid architecture ay may mas mataas na ceiling, hindi na nawala ng mga simpleng ruta ang kanilang cost advantage.
Maaari bang i-convert ang isang umiiral na TOPCon o HPBC module line para magpatakbo ng BC cells?
Bahagyang. Ang mechanical handling, layup at lamination stations ay halos magagamit muli, ngunit ang cell-facing stations — cutting, stringing, soldering at inspection — ay karaniwang nangangailangan ng BC-specific na bersyon, dahil ang contact geometry at ang handling requirements ay iba. Kung may saysay ang isang conversion ay depende sa kung gaano karami ng linya ang cell-facing kumpara sa panel-facing.
Ano ang pagkakaiba ng LIC at ordinaryong laser processing sa isang cell line?
Ang ordinaryong laser steps sa isang cell line ay nag-cut, nag-dope o nag-ablate. Ang LIC ay isang localised crystallisation step: binabago nito ang phase ng silicon sa contact point kaysa sa pagtanggal o pagdagdag ng materyal. Ginagawa nitong alignment at energy control ang kritikal na parameter, at ginagawa nitong sensitibo ang step sa anumang upstream na nagbabago sa surface topography.
Saan ko mababasa ang mga primary sources?
Ang efficiency result at ang ISFH confirmation ay iniulat ng pv magazine at PV Tech. Ang process-level na paglalarawan ng LIC at iPET ay nagmumula sa industry report na inilathala ng 新能供应链. Ang mga figure na iniuugnay sa report na iyon ay gaya ng inilathala doon; hindi namin ito independiyenteng na-verify.